কোনো তলে বা সারফেস এ যখন আলো এসে পড়ে, তখন ঐ সারফেস থেকে ইলেকট্রন নির্গত হওয়ার প্রক্রিয়ায় হলো ফটো ইলেকট্রিক ক্রিয়া ।

ফটোভোল্টায়িক কোষগুলো দুই স্তরবিশিষ্ট সেমিকন্ডাক্টরের তৈরি। অনেকটা স্যান্ডউইচ এর মতো। বিশেষত সিলিকন দিয়েই তৈরি হয় ফটোভোল্টায়িক কোষ। একটি তড়িৎ ক্ষেত্রের প্রয়োজন হয় ফটোভোল্টায়িক কোষ কাজ করার জন্য। তড়িৎক্ষেত্র তৈরি করার জন্য প্রস্তুতকারকরা এই সেমিকন্ডাক্টরে ডোপিং (ভেজাল) করে থাকেন। ভেজাল হিসেবে প্রস্তুতকারকরা সেমিকন্ডাক্টরে অন্য পদার্থ মিশিয়ে থাকেন।

প্রথম স্তরে একটি বাড়তি ইলেকট্রন যোগ করার জন্য বিশেষত প্রথম স্তরে ফসফরাসকে ডোপিং পদার্থ হিসেবে মেশানো হয়ে থাকে। ফলে প্রথম স্তরটি তড়িৎ ঋণাত্মক হয়ে যায়। দ্বিতীয় স্তরে ইলেকট্রনের ঘাটতি তৈরি করার জন্য দ্বিতীয় স্তরে ডোপিং পদার্থ হিসেবে বোরন যোগ করা হয়। মানে, দ্বিতীয় স্তর ধনাত্মক আধান বিশিষ্ট হয়(P-type)। এইটাইএকটি ফটোভোল্টায়িক কোষের অভ্যন্তরীণ গঠন।